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Ypsilon PHAETHON(パエトン)　インテグレーテッドアンプ 


ハイスピードで濃密なイプシロンサウンド。小さな筐体にイプシロンの持てるテクノロジーを凝縮した意欲作。
同じイプシロンのセパレートアンプの組み合わせと同一の技術コンセプト採用し、出力こそ小ぶりではありますが、ハイスピードかつ濃密な独特のイプシロンサウンドをお楽しみいただけるインテグレーテッドアンプ。

◇前段に真空管を、出力段にMOS-FETを採用したシンプルな3ゲインステージ構成。
入力段とドライバー段はシングルエンドクラスA方式で動作する真空管方式。特性を揃えた低ノイズの双三極管6H30を各チャンネルあたり1本のみ使用するシンプルな回路構成を採用しています。
出力段は特性を揃えた3つのMOS-FETで構成されるシングルエンド回路を2基プッシュプル動作させています。この２つのシングルエンド増幅回路は同じ極性で構成され、厳密に特性を一致させて使用することにより、出力信号は小型クラスAアンプと同様の繊細さと十分なダイナミクスを両立させています。出力段には音楽信号のほとんどをカバーする最初の10W程度をクラスA動作するように高いバイアスが設定されています。

◇自社設計の手巻きトランスを使用したトランスアッテネーター
ボリューム回路（アッテネーター）に、自社設計・自社製造した高性能トランスアッテネーターを採用。2次側巻線に31個タップを設け、トランス巻線比を変えることにより31段階のボリュームコントロールを行います。
抵抗器を使用する通常のアッテネーターでは、どんなに良い素子を使用しても原理上信号エネルギーの損失は避けられませんが、トランス方式ではエネルギーのロスなくボリュームコントロールすることを可能にしています。

◇前段と出力段を結合するインターステージトランス（段間トランス）
トランスのテクノロジーに熟知していることがイプシロンの強みです。真空管を使用した前段とMOS-FETを使用した出力段の間に自社設計・自社製造の広帯域段間トランスを採用。インピーダンスを理想的にマッチングさせることにより信号のエネルギーロスを皆無としています。このトランス技術が繊細透明かつエネルギーに満ち溢れたイプシロンサウンドの源となります。
前段と出力段用に独立した電源回路

◇独立した2つのカスタムトランスによる真空管用とMOS-FET用の独立電源。
各電源には自社設計のチョークインプットコイルを使用し電源からのノイズ混入
を皆無としています。MUNDORF製電解コンデンサを使用。

方式：ハイブリッド式ステレオインテグレーテッドアンプ
回路方式：シングルエンド（アンバランス）
使用真空管：2x 6H30 (入力段、ドライバー段)
入力端子：3 x RCA (アンバランス)、1 x XLR (アンバランス)
スピーカー端子：1ペア(Spade, Banana対応）
定格出力：110W @8 Ohm/180W @4 Ohm
ボリューム：トランス２次巻線切替方式 (31タップ)、3 dB (ステップ 1 ? 5)、2 dB (ステップ 6 ? 10)、1.5 dB (ステップ 11 ? 28)、1 dB (ステップ 29 ? 31)
周波数特性：11Hz ? 75 kHz, -3dB
出力インピーダンス：0.5 Ohm
入力インピーダンス：47k Ohm
ゲイン：35 dB
アイドリング時消費電力：125W
外形寸法：400 (W) x 185 (H) x 425 (D) mm
質量：35 kg